Allgemein
| Speichertyp | Non-Volatile |
|---|---|
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Zugriffszeit | 100 ns |
| Basis-Teilenummer | DS1250Y |
| Hersteller | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 100ns |
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
DS1250Y-100IND+
DatenblattSpeicher & Storage
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 4Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | NVSRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 512K x 8 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 32-EDIP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C~85°C(TA) |
|---|