DS1250W-100IND

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1250W-100IND

Datenblatt

Speicher & Storage

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

Obsolet32-DIP Module (0.600", 15.24mm)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit100 ns
Basis-TeilenummerDS1250W
HerstellerAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit100ns

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung3V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 8

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Hersteller-Gehäuse32-EDIP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)