DS1230YL-100

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1230YL-100

Speicher & Storage

DS1230 3.3 VOLT, 256 K NV SRAM

Aktiv28-DIP Module (0.600", 15.24mm)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit100 ns
HerstellerAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Schreibzykluszeit100ns

Elektrisch

Speichergröße256Kbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V
Memory Organization32K x 8

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Hersteller-Gehäuse28-EDIP

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)