DS1230Y-120

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1230Y-120

Datenblatt

Speicher & Storage

IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

Obsolet28-DIP Module (0.600", 15.24mm)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit120 ns
Basis-TeilenummerDS1230Y
HerstellerAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit120ns

Elektrisch

Speichergröße256Kbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V
Memory Organization32K x 8

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Hersteller-Gehäuse28-EDIP

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)