DS1230W-100IND

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1230W-100IND

Datenblatt

Speicher & Storage

IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

Obsolet28-DIP Module (0.600", 15.24mm)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit100 ns
Basis-TeilenummerDS1230W
HerstellerAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit100ns

Elektrisch

Speichergröße256Kbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung3V ~ 3.6V
Memory Organization32K x 8

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Hersteller-Gehäuse28-EDIP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)