AOTF190A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOTF190A60L

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

AbgekündigtTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 7.6A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1935 pF @ 100 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
SerieaMOS5™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Max. Verlustleistung32W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220F

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)