AOT416

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOT416

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 50 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSDMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta), 42A (Tc)
Max. Verlustleistung1.92W (Ta), 150W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)