AOSS21319C

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOSS21319C

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3

Aktiv3-SMD, SOT-23-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.8A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds320 pF @ 15 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Max. Verlustleistung1.3W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-SMD, SOT-23-3 Variant
Hersteller-GehäuseSOT-23-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)