AOP609

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOP609

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 60V 8DIP

Obsolet8-DIP (0.300", 7.62mm)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.7A, 10V
Basis-TeilenummerAOP60
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570pF @ 30V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Power - Max2.5W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-DIP (0.300", 7.62mm)
Hersteller-Gehäuse8-PDIP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)