AONY36356

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AONY36356

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 17.5A/32A 8DFN

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.1mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerAONY363
Konfiguration2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds920pF @ 15V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.5A (Ta), 32A (Tc), 24A (Ta), 32A (Tc)
Power - Max2.9W (Ta), 22W (Tc), 3.4W (Ta), 33W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)