AONP36332

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AONP36332

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 24A/50A 8DFN

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerAONP363
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V, 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1520pF @ 15V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta), 50A (Tc), 20A (Ta), 50A (Tc)
Power - Max3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN-EP (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)