AON7932

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON7932

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN

Obsolet8-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6.6A, 10V
Basis-TeilenummerAON793
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 15V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A, 8.1A
Power - Max1.4W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN-EP (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)