AON6922

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON6922

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN

Obsolet8-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerAON692
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2340pF @ 12.5V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.7V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A, 31A
Power - Max2W, 2.2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN-EP (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)