AON6810

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON6810

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 25A 8DFN

Obsolet8-SMD, Flat Lead Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerAON681
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1720pF @ 15V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A
Power - Max4.1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN-EP (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)