AON6512

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON6512

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN

Abgekündigt8-PowerSMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3430 pF @ 15 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Ta), 150A (Tc)
Max. Verlustleistung7.4W (Ta), 83W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerSMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)