AON6482

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON6482

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN

Aktiv8-PowerSMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 50 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta), 28A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 63W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerSMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)