AON6160

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON6160

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN

Obsolet8-PowerSMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.58mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7790 pF @ 30 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieAlphaSGT™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Max. Verlustleistung215W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)