AON5810

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON5810

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN

Obsolet6-WFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 7.7A, 4.5V
Basis-TeilenummerAON581
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1360pF @ 10V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.7A
Power - Max1.6W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-DFN-EP (2x5)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)