AON5802A

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON5802A

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN

Obsolet6-WFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7.2A, 4.5V
Basis-TeilenummerAON5802
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1115pF @ 15V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.2A
Power - Max1.7W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-DFN-EP (2x5)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)