AON2809

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON2809

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN

Obsolet6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 2A, 4.5V
Basis-TeilenummerAON280
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds415pF @ 6V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A
Power - Max2.1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-DFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)