AON2290

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON2290

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds415 pF @ 50 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Max. Verlustleistung2.8W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-DFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)