AOM033V120X2

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOM033V120X2

Analog & Leistungselektronik

1200V SILICON CARBIDE MOSFET

AktivTO-247-4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 20A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs104 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2908 pF @ 800 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+15V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 17.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C68A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-4
Hersteller-GehäuseTO-247-4L

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)