AOI21357

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOI21357

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A

AktivTO-251-3 Stub Leads, IPakAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2830 pF @ 15 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 70A (Tc)
Max. Verlustleistung6.2W (Ta), 78W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak
Hersteller-GehäuseTO-251A

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)