AOE6930

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOE6930

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 22A/85A 8DFN

Aktiv8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerAOE693
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAlphaMOS
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc), 85A (Tc)
Power - Max24W, 75W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)