AOD3N50

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOD3N50

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252

AbgekündigtTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds331 pF @ 25 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Tc)
Max. Verlustleistung57W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252 (DPAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-50°C ~ 150°C (TJ)