AOB66918L

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOB66918L

Analog & Leistungselektronik

N

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 50 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAlphaSGT™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 120A (Tc)
Max. Verlustleistung10W (Ta), 375W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Hersteller-GehäuseTO-263 (D2PAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)