AOB470L

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOB470L

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO263

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.2mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5640 pF @ 30 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 100A (Tc)
Max. Verlustleistung2.1W (Ta), 268W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263 (D2Pak)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)