AOB412L

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOB412L

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO263

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3220 pF @ 50 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSDMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A (Ta), 60A (Tc)
Max. Verlustleistung2.6W (Ta), 150W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263 (D2Pak)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)