AOB282L

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOB282L

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7765 pF @ 40 V
HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.5A (Ta), 105A (Tc)
Max. Verlustleistung2.1W (Ta), 272.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263 (D2Pak)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)