AS6C2016-55BIN

Alliance Memory, Inc

AS6C2016-55BIN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA

Aktiv48-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit55 ns
Basis-TeilenummerAS6C2016
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit55ns

Elektrisch

Speichergröße2Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.7V ~ 5.5V
Memory Organization128K x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case48-TFBGA
Hersteller-Gehäuse48-TFBGA (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)