AS4C8M16SA-7BCN

Alliance Memory, Inc

AS4C8M16SA-7BCN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA

Aktiv54-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM
Zugriffszeit5.4 ns
Basis-TeilenummerAS4C8M16
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit14ns

Elektrisch

Speichergröße128Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz143 MHz
Versorgungsspannung3V ~ 3.6V
Memory Organization8M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case54-TFBGA
Hersteller-Gehäuse54-TFBGA (8x8)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)