AS4C8M16SA-6BIN

Alliance Memory, Inc

AS4C8M16SA-6BIN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA

Aktiv54-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM
Zugriffszeit5 ns
Basis-TeilenummerAS4C8M16
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit12ns

Elektrisch

Speichergröße128Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz166 MHz
Versorgungsspannung3V ~ 3.6V
Memory Organization8M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case54-TFBGA
Hersteller-Gehäuse54-TFBGA (8x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)