AS4C8M16D1-5BIN

Alliance Memory, Inc

AS4C8M16D1-5BIN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA

Aktiv60-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR
Zugriffszeit700 ps
Basis-TeilenummerAS4C8M16
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße128Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung2.3V ~ 2.7V
Memory Organization8M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-TFBGA
Hersteller-Gehäuse60-TFBGA (8x13)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)