AS4C64M8D1-5BCN

Alliance Memory, Inc

AS4C64M8D1-5BCN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Aktiv60-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR
Zugriffszeit700 ps
Basis-TeilenummerAS4C64
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung2.3V ~ 2.7V
Memory Organization64M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-TFBGA
Hersteller-Gehäuse60-FBGA (8x13)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)