AS4C512M8D4-75BCN

Alliance Memory, Inc

AS4C512M8D4-75BCN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

Aktiv78-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR4
Zugriffszeit18 ns
Basis-TeilenummerAS4C512
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße4Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz1.333 GHz
Versorgungsspannung1.14V ~ 1.26V
Memory Organization512M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case78-TFBGA
Hersteller-Gehäuse78-FBGA (7.5x10.6)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~95°C(TC)