AS4C512M16D4-75BINTR

Alliance Memory, Inc

AS4C512M16D4-75BINTR

Datenblatt

Speicher & Storage

MEMORY

Aktiv96-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR4
Zugriffszeit18 ns
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße8Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfacePOD
Taktfrequenz1.333 GHz
Versorgungsspannung1.14V ~ 1.26V
Memory Organization512M x 16

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case96-TFBGA
Hersteller-Gehäuse96-FBGA (7.5x13)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)