AS4C512M16D4-75BCN

Alliance Memory, Inc

AS4C512M16D4-75BCN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA

Aktiv96-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR4
Zugriffszeit18 ns
Basis-TeilenummerAS4C512
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße8Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz1.333 GHz
Versorgungsspannung1.14V ~ 1.26V
Memory Organization512M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case96-TFBGA
Hersteller-Gehäuse96-FBGA (7.5x13)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~95°C(TC)