AS4C512M16D3LC-12BIN

Alliance Memory, Inc

AS4C512M16D3LC-12BIN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA

Aktiv96-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR3L
Zugriffszeit20 ns
Basis-TeilenummerAS4C512
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße8Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz800 MHz
Versorgungsspannung1.283V ~ 1.45V
Memory Organization512M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case96-TFBGA
Hersteller-Gehäuse96-FBGA (9x13)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~95°C(TC)