AS4C4M32S-6BIN

Alliance Memory, Inc

AS4C4M32S-6BIN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA

Aktiv90-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM
Zugriffszeit5.4 ns
Basis-TeilenummerAS4C4M32
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit2ns

Elektrisch

Speichergröße128Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz166 MHz
Versorgungsspannung3V ~ 3.6V
Memory Organization4M x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case90-TFBGA
Hersteller-Gehäuse90-TFBGA (8x13)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)