AS4C32M16MSA-6BIN

Alliance Memory, Inc

AS4C32M16MSA-6BIN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA

Aktiv54-VFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile SDRAM
Zugriffszeit5.5 ns
Basis-TeilenummerAS4C32
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz166 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.95V
Memory Organization32M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case54-VFBGA
Hersteller-Gehäuse54-FBGA (8x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TJ)