AS4C32M16MD1-5BCN

Alliance Memory, Inc

AS4C32M16MD1-5BCN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Abgekündigt60-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR
Zugriffszeit700 ps
Basis-TeilenummerAS4C2M32
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization32M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-TFBGA
Hersteller-Gehäuse60-FBGA (8x9)

Umwelt

Betriebstemperatur-30°C~85°C(TJ)