AS4C256M32MD4V-062BAN

Alliance Memory, Inc

AS4C256M32MD4V-062BAN

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 8GBIT LVSTL 200FBGA

Aktiv200-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4X
Zugriffszeit3.5 ns
Basis-TeilenummerAS4C256
HerstellerAlliance Memory, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit18ns

Elektrisch

Speichergröße8Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceLVSTL
Taktfrequenz1.6 GHz
Versorgungsspannung1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Memory Organization256M x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case200-TFBGA
Hersteller-Gehäuse200-FBGA (10x14.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TC)